Mô-đun IGBT Infineon FZ900R12KE4

Mô tả:

Nhà chế tạo:Infineon

Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT

Chi tiết Sản phẩm: IGBT Silicon Modules

Điện áp bộ thu phát VCEO Max: 1200 V

Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 2.1 V

Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 độ C: 900 A

Hiện tượng rò rỉ cổng-Emitter: 400 nA

Pd - Tách điện:4300 W

Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:- 40 C

Nhiệt độ hoạt động tối đa:+ 150 C

Bao bì:Cái mâm

Nhãn hiệu: Infineon Technologies 

Gắn Phong Cách: Chassis Mount 

Điện áp phát tối đa cổng: +/- 20 V 

Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT 

Số lượng nhà máy đóng gói: 10 

Tiểu thể loại: IGBT 

Phần # Bí danh: FZ900R12KE4HOSA1 SP000524466

Hình ảnh:

☘️Để được tư vấn và hỗ trợ liên hệ ngay☘️ :

CÔNG TY TNHH HOÀNG ANH PHƯƠNG

-VP: Số 15, đường E, Khu chung cư Him Lam Phú Đông, đường Trần Thị Vững, Bình Đường 3, P. An Bình , TX. Dĩ An, Tỉnh Bình Dương

Mr Nguyễn Hưng
Tel : 088 829 7586
Zalo : 088 829 7586
Email : hoanganhphuong008@gmail.com